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2SA1413-Z-AZ

更新时间: 2024-11-19 13:04:07
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 274K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, MP-3, 3 PIN

2SA1413-Z-AZ 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.19
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):5JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):28 MHzBase Number Matches:1

2SA1413-Z-AZ 数据手册

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