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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.75 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 150 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 5 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1360-Y(Q) | TOSHIBA |
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2SA1360-Y(Q) |
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| 2SA1361 | ETC |
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2SA1361 |
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| 2SA1362 | TYSEMI |
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High DC Current Gain Low Saturation Voltage Suitable for Driver Stage of Small Motor |
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| 2SA1362 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 2SA1362 | KEXIN |
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Silicon PNP Epitaxia |
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| 2SA1362_07 | TOSHIBA |
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Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications |
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| 2SA1362_15 | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SA1362-G | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SA1362GR | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236 |
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| 2SA1362-GR | TOSHIBA |
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Low Frequency Power Amplifier Applications |
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