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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.47 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 15 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | VCEsat-Max： | 0.2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BC808 | UTC |
功能相似  |
SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS |
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| BC808-40 | FAIRCHILD |
功能相似 |
Switching and Amplifier Applications |
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| 2SA1298 | TOSHIBA |
功能相似 |
TRANSISTOR (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1362_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications |
|
| 2SA1362_15 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
|
| 2SA1362-G | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
|
| 2SA1362GR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236 |
|
| 2SA1362-GR | TOSHIBA |
获取价格 |
Low Frequency Power Amplifier Applications |
|
| 2SA1362-GR(5LKEN,F | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1362-GR(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
2SA1362-GR(TE85L) |
|
| 2SA1362-GR,LF | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
|
| 2SA1362GRTE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
|
| 2SA1362TE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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