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2SA1363

更新时间： 2024-01-18 16:17:50

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	428K
描述
High hFE : hFE = 150 to 800 High Collector Current (IC = -2A)

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技术参数
数据手册

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2SA1363 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SA1363 数据手册

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SMD Type

Product specification

2SA1363

Features

High h^FE: h^FE= 150 to 800

High Collector Current (I^C= -2A)

High Collector Dissipation P^C= 500mW

Small Package For Mounting

Complementary to 2SC3443

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

IC

Rating

Unit

V

-20

-16

V

-6

V

Collector Current

-2

-3

A

Peak Collector Current

Collector Power Dissipation

Jumction temperature

I^CM

A

P^C

500

mW

T^j

150

Storage temperature Range

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

I^CBO

Testconditons

Min

Typ

Max

-0.2

-0.2

Unit

ìA

ìA

V

Collector Cut-off Current

V^CB= -16V , I^E= 0

V^EB= -4V , I^C= 0

I^C= -2mA , R^BE=

Emitter Cut-off Current

I^EBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector-Base Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

DC Current Gain

V^(BR)CEO

-16

-20

-6

V^(BR)CBOI^C= -10ìA , I^E= 0

V^(BR)EBOI^E= -10ìA , I^C= 0

V

V

h^FE

V^CE= -4V , I^C= 100mA

150

800

Collector-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

V^CE(sat)I^C= -1A , I^B= -50mA

-0.17 -0.3

V

fT

VCE = -2V , IE = 10mA

80

42

MHz

pF

Collector Output Capacitance

Cob

VCB = -10V , IE = 0 , f = 1MHz

hFE Classification

A

Marking

Rank

E

F

G

hFE

150

300

250

500

400

800

1

http://www.twtysemi.com

1 of 3

sales@twtysemi.com

4008-318-123

12 3

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