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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-59 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.28 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1330-O7-HF | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SA1330O7-L | RENESAS |
获取价格 |
2SA1330O7-L |
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| 2SA1330O7-T1B | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMO |
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| 2SA1330O7-T1B-A | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMO |
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| 2SA1330O7-T1B-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,200V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-23VAR |
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| 2SA1330O7-T2B | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMO |
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| 2SA1330O7-T2B-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMO |
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| 2SA1330-T1B | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMO |
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| 2SA1330-T1B-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMO |
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| 2SA1330-T1BO5 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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