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2SA1332

更新时间： 2024-01-08 10:13:18

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	101K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1332 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1332

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·High V_CEO

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Driver stage amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-160

-5

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

-1.5

I_B

Base current

-0.15

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

T_j

T_stg

-55~150

12 3

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