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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1330-T1B-A | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMO |
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| 2SA1330-T1BO5 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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| 2SA1330-T1BO6 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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| 2SA1330-T2B | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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| 2SA1330-T2B-A | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMO |
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| 2SA1330-T2B-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,200V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-23VAR |
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| 2SA1331 | KEXIN |
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PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors |
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| 2SA1331 | TYSEMI |
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Fast switching speed. High breakdown voltage. Collector-base voltage VCBO -60 V |
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| 2SA1331 | SANYO |
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High-Speed Switching Applications |
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| 2SA1331_15 | KEXIN |
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PNP Transistors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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