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2SA1298

更新时间： 2024-01-22 04:32:10
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 79K
描述
PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor

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2SA1298 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：160
JESD-30 代码：R-PDSO-G3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

2SA1298 数据手册

  
2SA1298  
-0.8A , -35V  
PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
SOT-23  
FEATURES  
Low Frequency Power Amplifier Application  
Power Switching Applications  
A
L
3
3
Top View  
C B  
CLASSIFICATION OF hFE (1)  
1
1
2
2SA1298-O  
100~200  
IO  
2SA1298-Y  
160~320  
IY  
Product-Rank  
2
K
F
E
Range  
D
Marking  
H
J
G
Millimeter  
Millimeter  
Min. Max.  
0.10 REF.  
0.55 REF.  
0.08 0.15  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
3.00  
2.55  
1.40  
1.15  
PACKAGE INFORMATION  
A
B
C
D
2.80  
2.25  
1.20  
0.90  
G
H
J
Package  
MPQ  
LeaderSize  
K
0.5 REF.  
E
F
1.80  
0.30  
2.00  
0.50  
L
0.95 TYP.  
SOT-23  
3K  
7’ inch  
Collector  
  
  
Base  
Emitter  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Collector to Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
-35  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
-30  
-5  
V
V
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
-800  
mA  
mW  
°C / W  
°C  
PC  
200  
RθJA  
625  
TJ, TSTG  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Collector to Base Breakdown Voltage V(BR)CBO  
Collector to Emitter Breakdown  
Symbol  
Min.  
-35  
-30  
-5  
Typ.  
Max.  
-
Unit  
V
V
Test Conditions  
IC= -1mA, IE=0  
-
-
-
-
-
-
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-
IC= -10mA, IB=0  
IE= -1mA, IC=0  
V lt  
Emitter to Base Breakdown Voltage  
-
V
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
-
-0.1  
-0.1  
320  
A  
A  
VCB= -30V, IE=0  
VEB= -5V, IC=0  
IEBO  
-
hFE(1)  
100  
VCE= -1V, IC= -100mA  
DC Current Gain  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE  
40  
-0.5  
-
-
-
-
-
VCE= -1V, IC= -800mA  
IC= -500mA, IB= -20mA  
VCB= -1V, IC= -10mA  
Collector to Emitter  
Saturation Voltage  
-0.8  
-0.5  
V
V
Base to Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
fT  
-
-
120  
13  
-
-
MHz  
pF  
VCE= -5V, IC= -10mA  
Collector Output Capacitance  
Cob  
VCB= -10V, IE=0, f=1MHz  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
19-Jan-2011 Rev. A  
Page 1 of 1  
1

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SA1298_07 TOSHIBA Low Frequency Power Amplifier Application Power Switching Applications

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2SA1298O ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SC-59

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2SA1298-O TOSHIBA TRANSISTOR 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, 2-3F1A, S-MINI, SC-59,

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2SA1298-O(TE85L) TOSHIBA 2SA1298-O(TE85L)

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