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2SA1297-GR

更新时间： 2024-02-08 13:19:25
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 216K
描述
TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SA1297-GR 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：2-4E1A, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.51最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：120 MHz
Base Number Matches：1

2SA1297-GR 数据手册

 浏览型号2SA1297-GR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1297-GR的Datasheet PDF文件第3页 
2SA1297  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SA1297  
Power Amplifier Applications  
Power Switching Applications  
Unit: mm  
•
•
Low saturation voltage: V  
= −0.5 V (max) @I = −2 A  
CE (sat) C  
Complementary to 2SC3267.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−20  
−20  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
−6  
V
I
−2  
A
C
Base current  
I
−0.5  
400  
A
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
mW  
°C  
°C  
C
MINI  
T
150  
j
JEDEC  
JEITA  
―
―
T
stg  
−55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
TOSHIBA  
2-4E1A  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
Weight: 0.13 g (typ.)  
ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability  
Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e.  
reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= −20 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
I
V
V
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
−0.1  
−0.1  
⎯
μA  
μA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
= −6 V, I = 0  
C
EBO  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
V
V
I
I
= −10 mA, I = 0  
−20  
−6  
(BR) CEO  
(BR) EBO  
C
E
B
= −0.1 mA, I = 0  
⎯
V
C
h
FE (1)  
(Note)  
V
V
= −2 V, I = −0.1 A  
120  
⎯
400  
CE  
C
DC current gain  
h
= −2 V, I = −2 A  
40  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
−0.5  
−0.85  
⎯
FE (2)  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
V
I
= −2 A, I = −0.1 A  
V
V
CE (sat)  
C
B
V
V
V
V
= −2 V, I = −0.1 A  
⎯
BE  
CE  
CE  
CB  
C
Transition frequency  
f
T
= −2 V, I = −0.5 A  
120  
40  
MHz  
pF  
C
Collector output capacitance  
C
= −10 V, I = 0, f = 1 MHz  
⎯
ob  
E
Note: h  
Y: 120 to 240, GR: 200 to 400  
FE (1)  
1
2010-03-15  
123

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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