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2SA12-3

更新时间: 2024-11-25 21:21:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
1页 73K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,1.5A I(C),SOT-89

2SA12-3 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69最大集电极电流 (IC):1.5 A
配置:SingleJESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):1 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

2SA12-3 数据手册

  

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