5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 0.15 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | VCEsat-Max： | 0.25 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1182-Y,LF(T | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
|
| 2SA1182YTE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
|
| 2SA1184 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 150V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
|
| 2SA1184 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1184 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1184 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1185 | NJSEMI |
获取价格 |
New Jersey Semi-Conductor Products, |
|
| 2SA1185 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1185 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1185 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
