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2SA1162-Y-TP-HF

更新时间： 2024-11-14 19:09:23

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美微科 - MCC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	214K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SA1162-Y-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1162-Y-TP-HF 数据手册

M C C

2SA1162-O

2SA1162-Y

2SA1162-GR

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

Capable of 0.15Watts of Power Dissipation.

Collector-current: 0.15A

Collector-base Voltage: -50V

Operating and storage junction temperature range: -55R to +150R

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

PNP Silicon

Plastic-Encapsulate

Transistor

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

SOT-23

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-100uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=-100uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=-50Vdc, I_E=0)

-50

-5

---

Vdc

---

Vdc

---

-0.1

uAdc

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_EB=-5.0Vdc, I_C=0)

---

DIMENSIONS

INCHES

ON CHARACTERISTICS

DIM

MIN

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

h_FE

DC Current Gain

---

400

-0.3

---

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.120

.104

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

(I_C=-2.0mAdc, V_CE=-6.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-100mAdc, I_B=-10mAdc)

V_CE(sat)

Vdc

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Transistor Frequency

---

MHz

(I_C=-1.0mAdc, V_CE=-10Vdcz)

Collector Output Capacitance

(V_CB=-10Vdc, I_E=0, f=1MHz)

Noise Figure

(V_CE=-6Vdc, I_C=0.1mA, f=1KHz, R_g=10K=)

.085

.37

Cob

Suggested Solder

Pad Layout

CLASSIFICATION OF H^{FE (1)}

.031

.800

Rank

Range

Marking

70-140

120-240

200-400

.035

.900

.079

2.000

inches

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: B

2013/01/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1163	NJSEMI	获取价格	New Jersey Semi-Conductor Products,
2SA1163	TYSEMI	获取价格	nullHigh voltage. Small package. High hFE. Low noise.
2SA1163	KEXIN	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Type
2SA1163	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPUFIER APPLICATIONS)
2SA1163_07	TOSHIBA	获取价格	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
2SA1163_15	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SA1163BL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-236AB
2SA1163-BL(T5L,F,T)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
2SA1163-BL(T5LBSHF	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1163-BL(T5LYAZF)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor

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