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2SA1163

更新时间： 2024-02-03 20:18:15
品牌 Logo 应用领域
TYSEMI 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
1页 86K
描述
nullHigh voltage. Small package. High hFE. Low noise.

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2SA1163 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.67
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：0.15 W最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

2SA1163 数据手册

  
                                                                                             
                                                                                                
                                                                                                 
                                                                                                   
                                                                                                     
                                                                                                       
                                                                                                        
                                                                                                          
                                                                                                            
                                                                                                              
T
r
a
n
s
i
s
t
o
TransistIoCr  
Transistors  
Product specification  
2SA1163  
SOT-23  
Unit: mm  
+0.1  
-0.1  
2.9  
0.4  
+0.1  
-0.1  
Features  
High voltage.  
Small package.  
High hFE.  
3
1
2
+0.1  
0.95  
-0.1  
+0.05  
0.1  
-0.01  
+0.1  
-0.1  
1.9  
Low noise.  
1.Base  
2.Emitter  
3.collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
-120  
Unit  
V
V
-120  
-5  
V
-100  
mA  
mA  
mW  
Base current  
IB  
-20  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
150  
Tj  
125  
Tstg  
-55 to +125  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Parameter  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
DC current gain  
Symbol  
ICBO  
Testconditons  
Min  
200  
Typ  
Max  
Unit  
VCB = -120 V, IE = 0  
VEB = -5 V, IC = 0  
-0.1  
-0.1  
700  
-0.3  
ìA  
ìA  
IEBO  
hFE  
VCE = -6 V, IC = -2 mA  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Noise figure  
VCE (sat) IC = -10 mA, IB = -1 mA  
V
MHz  
pF  
fT  
VCE = -6 V, IC = -1 mA  
100  
4
Cob  
NF  
VCB = -10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
VCB=-6 V, IC=-0.1 mA, f=1 kHz,Rg=10 kÙ  
1.0  
10  
dB  
hFE Classification  
Marking  
Rank  
CG  
GR  
CL  
BL  
hFE  
200 400  
350 700  
4008-318-123  
http://www.twtysemi.com  
1 of 1  
sales@twtysemi.com  
1

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