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2SA1011P

更新时间: 2024-02-05 17:01:13
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体驱动器开关晶体管高压局域网
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
High-Voltage Switching, AF Power Amp,100W Output Predriver Applications

2SA1011P 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.76
最大集电极电流 (IC):1.5 A集电极-发射极最大电压:160 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
JESD-30 代码:R-PZFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:25 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:ZIG-ZAG
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

2SA1011P 数据手册

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2SA1011P / 2SC2344P  
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Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
Turn-On Time  
Storage Time  
Fall Time  
t
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
(0.29)0.15  
(0.48)0.81  
(0.19)0.48  
µs  
µs  
µs  
on  
t
stg  
t
f
Package Dimensions  
unit : mm (typ)  
Switching Time Test Circuit  
7507-001  
I
B1  
OUTPUT  
PW=20µs  
1Ω  
I
B2  
4.5  
10.2  
3.6  
5.1  
1.3  
INPUT  
40Ω  
200V  
R
51Ω  
V
=20V  
CC  
1µF  
=--2V  
1µF  
V
BE  
I =10I =--10I =0.5A  
B1 B2  
1.2  
0.8  
C
For PNP, minus sign is omitted.  
0.4  
1
2
3
1 : Base  
2 : Collector  
3 : Emitter  
2.55  
2.55  
SANYO : TO-220  
I
-- V  
CE  
I
-- V  
C CE  
C
--1.0  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
2SA1011P  
2SC2344P  
--0.8  
--0.6  
--0.4  
--0.2  
0
1mA  
--1mA  
I =0mA  
B
--30  
I =0mA  
B
0
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
--10  
--20  
--40  
--50  
Collector to Emitter Voltage, V  
-- V IT02132  
Collector to Emitter Voltage, V  
-- V IT02133  
CE  
CE  
I
-- V  
I
-- V  
BE  
C
BE  
C
--2.4  
--2.0  
2.4  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
2SA1011P  
2SC2344P  
V
=
--5V  
V
=5V  
CE  
CE  
--1.6  
--1.2  
--0.8  
--0.4  
0
0
0
0
--0.2  
--0.4  
--0.6  
--0.8  
--1.0  
--1.2  
--1.4  
IT02134  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
IT02135  
Base to Emitter Voltage, V  
BE  
-- V  
Base to Emitter Voltage, V -- V  
BE  
No.8522-2/4  

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