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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.17 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 350 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1009J | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB |
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| 2SA1009-J | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SA1009-J-AZ | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SA1009K | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB |
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| 2SA1009-K | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SA1009-K | RENESAS |
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2A, 350V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2SA1009-K-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SA1009L | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB |
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| 2SA1009-L | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SA1009-L-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2A, 350V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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