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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1009-M | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SA1009-M | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SA1009-M-AZ | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SA101 | ETC |
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Ge PNP Drift |
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| 2SA1010 | RENESAS |
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SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2SA1010 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1010 | ISC |
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isc Silicon PNP Power Transistor |
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| 2SA1010 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1010 | NEC |
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SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2SA1010 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 100V 7A 3-Pin(3+Tab) MP-25 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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