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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 160 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 140 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 25 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1011D | MOSPEC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-220AB |
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| 2SA1011E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-220AB |
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| 2SA1011P | SANYO |
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High-Voltage Switching, AF Power Amp,100W Output Predriver Applications |
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| 2SA1012 | MCC |
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PNP Plastic-Encapsulate Transistor |
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| 2SA1012 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1012 | JMNIC |
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Silicon PNP Transistors |
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| 2SA1012 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Power Transistor |
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| 2SA1012 | UTC |
获取价格 |
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
|
| 2SA1012 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(5A,50V,25W) |
|
| 2SA1012 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISITOR (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) |
|
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