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2SA1011

更新时间： 2024-01-05 01:50:29

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4页	100K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1011 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PZFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	25 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	ZIG-ZAG
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1011 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1011

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to type 2SC2344

APPLICATIONS

·High voltage switching ,

·Audio frequency power amplifier;

·100W output predriver applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-180

-160

-6

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

-1.5

I_CM

Collector current-Peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-3.0

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

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与2SA1011相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1011D	MOSPEC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SA1011E	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SA1011P	SANYO	High-Voltage Switching, AF Power Amp,100W Output Predriver Applications	获取价格
2SA1012	MCC	PNP Plastic-Encapsulate Transistor	获取价格
2SA1012	SAVANTIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SA1012	JMNIC	Silicon PNP Transistors	获取价格