5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2N918LEADFREE
2N918LEADFREE PDF预览

2N918LEADFREE

更新时间： 2024-11-29 20:49:07
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 553K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-72,

阅读下载

中文翻译

获取价格

2N918LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.01
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：3 pF
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-72JESD-30 代码：O-MBCY-W4
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：600 MHzBase Number Matches：1

2N918LEADFREE 数据手册

 浏览型号2N918LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
2N918  
www.centralsemi.com  
NPN SILICON RF TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N918 type  
is an NPN silicon RF transistor, manufactured by  
the epitaxial planar process and designed for high  
frequency amplifier and oscillator applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-72 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
V
30  
15  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
V
V
3.0  
I
50  
mA  
mW  
mW  
°C  
C
P
200  
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
C
Operating and Storage Junction Temperature  
P
300  
T , T  
-65 to +200  
87.5  
58.3  
J
stg  
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
°C/W  
JA  
JC  
Thermal Resistance  
Θ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
V
=15V  
10  
nA  
CBO  
CB  
I
V
=15V, T =150°C  
1.0  
μA  
V
CBO  
CB  
A
BV  
BV  
BV  
I =1.0μA  
30  
15  
CBO  
CEO  
C
I =3.0mA  
V
C
I =10μA  
3.0  
V
EBO  
E
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.4  
1.0  
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
h
V
=1.0V, I =3.0mA  
20  
CE  
CE  
CB  
EB  
EB  
CB  
CB  
CB  
CE  
C
f
V
V
V
V
V
V
V
V
=10V, I =4.0mA, f=100MHz  
600  
MHz  
pF  
T
C
C
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
1.7  
3.0  
2.0  
ob  
ob  
ib  
E
=0, I =0, f=1.0MHz  
pF  
E
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
pF  
C
P
=15V, I =8.0mA, f=500MHz  
30  
15  
25  
mW  
dB  
o
C
G
=12V, I =6.0mA, f=200MHz  
pe  
NF  
=15V, I =8.0mA, f=500MHz  
C
%
C
=6.0V, I =1.0mA,  
C
R =400Ω, f=60kHz  
6.0  
dB  
G
R1 (11-September 2012)  
12

中文翻译

下载PDF

与2N918LEADFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N918UB MICROSEMI

获取价格

 		NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
2N918UB SEMICOA

获取价格

 		Chip Type 2C918 Geometry 0013 Polarity NPN
2N918UBJ MICROSEMI

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED,
2N918UBJS MICROSEMI

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED,
2N918UBJV MICROSEMI

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED,
2N918UBJX MICROSEMI

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED,
2N919 DIGITRON

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,NPN,15V V(BR)CEO,220MA I(C),TO-18
2N920 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 220MA I(C) | TO-18
2N921 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18
2N922 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18

与2N918LEADFREE相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证