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2N918LEADFREE

更新时间： 2024-09-18 20:49:07
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 553K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-72,

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2N918LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.01
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：3 pF
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-72JESD-30 代码：O-MBCY-W4
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：600 MHzBase Number Matches：1

2N918LEADFREE 数据手册

 浏览型号2N918LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
2N918  
www.centralsemi.com  
NPN SILICON RF TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N918 type  
is an NPN silicon RF transistor, manufactured by  
the epitaxial planar process and designed for high  
frequency amplifier and oscillator applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-72 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
V
30  
15  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
V
V
3.0  
I
50  
mA  
mW  
mW  
°C  
C
P
200  
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
C
Operating and Storage Junction Temperature  
P
300  
T , T  
-65 to +200  
87.5  
58.3  
J
stg  
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
°C/W  
JA  
JC  
Thermal Resistance  
Θ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
V
=15V  
10  
nA  
CBO  
CB  
I
V
=15V, T =150°C  
1.0  
μA  
V
CBO  
CB  
A
BV  
BV  
BV  
I =1.0μA  
30  
15  
CBO  
CEO  
C
I =3.0mA  
V
C
I =10μA  
3.0  
V
EBO  
E
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.4  
1.0  
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
h
V
=1.0V, I =3.0mA  
20  
CE  
CE  
CB  
EB  
EB  
CB  
CB  
CB  
CE  
C
f
V
V
V
V
V
V
V
V
=10V, I =4.0mA, f=100MHz  
600  
MHz  
pF  
T
C
C
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
1.7  
3.0  
2.0  
ob  
ob  
ib  
E
=0, I =0, f=1.0MHz  
pF  
E
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
pF  
C
P
=15V, I =8.0mA, f=500MHz  
30  
15  
25  
mW  
dB  
o
C
G
=12V, I =6.0mA, f=200MHz  
pe  
NF  
=15V, I =8.0mA, f=500MHz  
C
%
C
=6.0V, I =1.0mA,  
C
R =400Ω, f=60kHz  
6.0  
dB  
G
R1 (11-September 2012)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N918UB MICROSEMI

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2N918UBJ MICROSEMI

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