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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.65 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 标称过渡频率 (fT)： | 45 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N929AJ | RAYTHEON |
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Transistor, |
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| 2N929ALEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
|
| 2N929APBFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| 2N929ATIN/LEAD | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| 2N930 | MICRO-ELECTRONICS |
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COMPLEMENTARY SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
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| 2N930 | SEMICOA |
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Chip Type 2C2484 Geometry 0307 Polarity NPN |
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| 2N930 | MICROSEMI |
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NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N930 | NJSEMI |
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NPN HIGH SPEED SATURATED SWITCHES |
|
| 2N930 | STMICROELECTRONICS |
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LOW-LEVEL, LOW-NOISE AMPLFIERS |
|
| 2N930 | BOCA |
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AMPLIFIER TRANSISTOR (NPN SILICON) |
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