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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N926 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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| 2N927 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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| 2N928 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100A I(C) | TO-18 |
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| 2N929 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package |
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| 2N929A | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N929A | RAYTHEON |
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Transistor, |
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| 2N929AJ | RAYTHEON |
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Transistor, |
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| 2N929ALEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| 2N929APBFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| 2N929ATIN/LEAD | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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