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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.13 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 |
| JEDEC-95代码： | TO-18 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN (315) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N934 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
|
| 2N935 | NJSEMI |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR |
|
| 2N936 | NJSEMI |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR |
|
| 2N937 | NJSEMI |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR |
|
| 2N938 | NJSEMI |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR |
|
| 2N939 | NJSEMI |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR |
|
| 2N939A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 45V 0.03A 3-Pin TO-18 |
|
| 2N94 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 5MA I(C) | TO-22 |
|
| 2N940 | NJSEMI |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR |
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| 2N940 | DIGITRON |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,35V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-18 |
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