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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.6 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N930BLEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| 2N930CSM | SEME-LAB |
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HIGH SPEED, MEDIUM POWER, NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC |
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| 2N930DWP | ZETEX |
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Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.015 X 0.015 INCH |
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| 2N930LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| 2N934 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
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| 2N935 | NJSEMI |
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GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR |
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| 2N936 | NJSEMI |
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GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR |
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| 2N937 | NJSEMI |
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GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR |
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| 2N938 | NJSEMI |
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GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR |
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| 2N939 | NJSEMI |
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GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR |
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