2N918UBJV

更新时间： 2024-09-18 13:04:07

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美高森美 - MICROSEMI		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	182K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT PACKAGE

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2N918UBJV 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT
包装说明：	HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT PACKAGE	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.19	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1.7 pF	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-CDSO-N
元件数量：	1	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N918UBJV 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/301

DEVICES

LEVELS

JAN

2N918

2N918UB

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

Value

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Vdc

mAdc

°C

Collector-Base Voltage

3.0

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation @ T_A= +25°C ⁽¹⁾

P_T

200

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_op& T_stg

-65 to +200

TO-72

2N918

Note: 1) Derate linearly 1.14mW/°C above T_A> 25°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 3mAdc

V_(BR)CEO

Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 30Vdc

µAdc

ηAdc

µAdc

1.0

I_CBO

_CB= 25Vdc

_CB= 25Vdc; T_A= +150°C

3 PIN

2N918UB

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 3.0Vdc

V_EB= 2.5Vdc

µAdc

ηAdc

I_EBO

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 0.5mAdc, V_CE= 10Vdc

I_C= 3.0mAdc, V_CE= 1.0Vdc

I_C= 10mAdc, V_CE= 10Vdc

h_FE

200

I_C= 3.0mAdc, V_CE= 1.0Vdc; T_A= -55°C

Collector-Emitter Saturation Voltage

I_C= 10mAdc, I_B= 1.0mAdc

V_CE(sat)

V_BE(sat)

0.4

1.0

Vdc

Base-Emitter Voltage

I_C= 10mAdc, I_B= 1.0mAdc

T4-LDS-0010 Rev. 3 (101342)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N918UBJX	MICROSEMI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED,
2N919	DIGITRON	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,15V V(BR)CEO,220MA I(C),TO-18
2N920	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 220MA I(C) \| TO-18
2N921	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-18
2N922	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-18
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