2N918

更新时间： 2024-11-29 07:29:15

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美高森美 - MICROSEMI		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	182K
描述
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

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2N918 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-72
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.64
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-72	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N918 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/301

DEVICES

LEVELS

JAN

2N918

2N918UB

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

Value

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Vdc

mAdc

°C

Collector-Base Voltage

3.0

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation @ T_A= +25°C ⁽¹⁾

P_T

200

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_op& T_stg

-65 to +200

TO-72

2N918

Note: 1) Derate linearly 1.14mW/°C above T_A> 25°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 3mAdc

V_(BR)CEO

Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 30Vdc

µAdc

ηAdc

µAdc

1.0

I_CBO

_CB= 25Vdc

_CB= 25Vdc; T_A= +150°C

3 PIN

2N918UB

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 3.0Vdc

V_EB= 2.5Vdc

µAdc

ηAdc

I_EBO

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 0.5mAdc, V_CE= 10Vdc

I_C= 3.0mAdc, V_CE= 1.0Vdc

I_C= 10mAdc, V_CE= 10Vdc

h_FE

200

I_C= 3.0mAdc, V_CE= 1.0Vdc; T_A= -55°C

Collector-Emitter Saturation Voltage

I_C= 10mAdc, I_B= 1.0mAdc

V_CE(sat)

V_BE(sat)

0.4

1.0

Vdc

Base-Emitter Voltage

I_C= 10mAdc, I_B= 1.0mAdc

T4-LDS-0010 Rev. 3 (101342)

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12 3 4

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2N918 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMPQ2369	TI	功能相似	200mA, 15V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

与2N918相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N918_04	SEMICOA	获取价格	Silicon NPN Transistor
2N918_1	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
2N918ACSM	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 Ceramic Surface Mount Package for High Re
2N918ADCSM	SEME-LAB	获取价格	ELECTRICAL CHARACTERISTICS
2N918CSM	SEME-LAB	获取价格	GENERAL PURPOSE, SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUN
2N918DCSM	SEME-LAB	获取价格	Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for H
2N918JS	MICROSEMI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-72, HERMETICAL
2N918JV	MICROSEMI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-72, HERMETICAL
2N918JX	MICROSEMI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-72, HERMETICAL
2N918LEADFREE	CENTRAL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-72,

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