是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5 | 其他特性: | ULTRA LOW RESISTANCE |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.3 A | 最大漏源导通电阻: | 3 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 5 pF |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N7002K-AU_R1_10001 | PANJIT |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | |
2N7002K-AU_R2_00001 | PANJIT |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | |
2N7002K-AU_R2_000A1 | PANJIT |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | |
2N7002K-AU_R2_10001 | PANJIT |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | |
2N7002K-AU_RD_00001 | PANJIT |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | |
2N7002K-AU_RD_10001 | PANJIT |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | |
2N7002K-AU_RU_00001 | PANJIT |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | |
2N7002K-AU_RU_10001 | PANJIT |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | |
2N7002K-AU_RX_00001 | PANJIT |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | |
2N7002K-AU_RX_10001 | PANJIT |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected |