是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | ULTRA LOW RESISTANCE | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 0.3 A |
最大漏源导通电阻: | 3 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 5 pF | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 参考标准: | AEC-Q101; TS 16949 |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N7002K-AU_R2_10001 | PANJIT |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | |
2N7002K-AU_RD_00001 | PANJIT |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | |
2N7002K-AU_RY_10001 | PANJIT |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | |
2N7002K-AU_S0_00001 | PANJIT |
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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected |