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2N6836

更新时间： 2024-02-17 06:32:43

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安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
64页	477K
描述
15A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA, METAL, TO-3, 2 PIN

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技术参数
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2N6836 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.46
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
基于收集器的最大容量：	400 pF	集电极-发射极最大电压：	450 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	175 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	最大关闭时间（toff）：	3250 ns
最大开启时间（吨）：	600 ns	VCEsat-Max：	2.5 V
Base Number Matches：	1

2N6836 数据手册

TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS

2.0

= 100°C

15 A

1.0

0.7

0.5

25°C

10 A

0.3

5 A

= 1 A

0.2

5.0

3.0

T = 25°C

= 5.0 V

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

0.02

0.05 0.1

0.2

0.5 1.0 2.0

5.0 10

I , COLLECTOR CURRENT (AMPS)

I , BASE CURRENT (AMPS)

Figure 1. DC Current Gain

Figure 2. Collector Saturation Region

1.5

5.0

β = 10

3.0

2.0

1.0

= 25°C

100°C

0.70

1.0

0.70

0.50

75°C

β = 10

T = 100°C

0.50

0.40

β = 10

T = 25°C

0.30

0.20

0.30

β = 5

T = 25°C

0.10

0.07

0.05

0.20

0.15

0.15 0.20 0.30 0.50 0.70 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10 15

0.15 0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10 15

I , COLLECTOR CURRENT (AMPS)

Figure 3. Collector–Emitter Saturation Voltage

Figure 4. Base–Emitter Voltage

10000

5000

3000

2000

T = 150°C

1000

125°C

500

300

200

100°C

75°C

100

REVERSE

FORWARD

+0.2

= 25°C

= 250 V

25°C

–1

–0.4

–0.2

+0.4

+0.6

0.1

1.0

100

850

V , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

V , BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

Figure 5. Collector Cutoff Region

Figure 6. Capacitance

3–153

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

1 234 5 6 7...64

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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