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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 2N684

2N684 PDF预览

2N684

更新时间： 2024-02-23 21:01:18

品牌	Logo	应用领域
CENTRAL		触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	102K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS

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技术参数
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2N684 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	JESD-609代码：	e3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

2N684 数据手册

浏览型号2N684的Datasheet PDF文件第2页

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824

12

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与2N684相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6840	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 50A I(C) \| STR-1/2	获取价格
2N6841	NJSEMI	SI NPN POWER BJT	获取价格
2N6844	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| TO-205AF	获取价格
2N6845	INFINEON	POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-4.0A)	获取价格
2N6845	SEME-LAB	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS	获取价格
2N6845	NJSEMI	P-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET	获取价格

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