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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6845EA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6845EC | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6845ED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6845LCC4 | SEME-LAB |
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P–CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N6845PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 2N6846 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-205AF |
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| 2N6847 | SEME-LAB |
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P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N6847 | INFINEON |
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-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6847 with Hermetic Packag |
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| 2N6847E | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6847EA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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