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2N683M

更新时间： 2024-02-29 07:26:16

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
1页	46K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 16000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-208AA

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2N683M 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
关态电压最小值的临界上升速率：	250 V/us	最大直流栅极触发电流：	40 mA
最大直流栅极触发电压：	2 V	通态非重复峰值电流：	150 A
最大通态电流：	16000 A	断态重复峰值电压：	100 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

2N683M 数据手册

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与2N683M相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N683MPBF	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-208AA	获取价格
2N683PBF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-208AA	获取价格
2N684	CENTRAL	SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS	获取价格
2N684	NJSEMI	DIFFUSED SILICON PNPN CINTROLLED RECTIFIER	获取价格
2N684	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 16000mA I(T), 150V V(DRM), 150V V(RRM), 1 Eleme	获取价格
2N6840	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 50A I(C) \| STR-1/2	获取价格

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