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2N684

更新时间： 2024-01-02 15:55:46

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
1页	46K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 16000mA I(T), 150V V(DRM), 150V V(RRM), 1 Element, TO-208AA

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2N684 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	JESD-609代码：	e3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

2N684 数据手册

1

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与2N684相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6840	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 50A I(C) \| STR-1/2	获取价格
2N6841	NJSEMI	SI NPN POWER BJT	获取价格
2N6844	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| TO-205AF	获取价格
2N6845	INFINEON	POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-4.0A)	获取价格
2N6845	SEME-LAB	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS	获取价格
2N6845	NJSEMI	P-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET	获取价格

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