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2N683MPBF

更新时间: 2024-02-19 02:55:52
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威世 - VISHAY 栅极
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1页 55K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-208AA

2N683MPBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.67
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:250 V/us
最大直流栅极触发电流:40 mA最大直流栅极触发电压:2 V
JEDEC-95代码:TO-208AAJESD-30 代码:O-MUPM-D2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:25 A断态重复峰值电压:100 V
重复峰值反向电压:100 V表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:40触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

2N683MPBF 数据手册

  

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