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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | METAL CAN-2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.77 | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 450 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 7.5 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6837 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2N6837 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 450V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| 2N6838 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30MA I(C) | SOT-173 |
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| 2N6839 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | SOT-173 |
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| 2N683A | CENTRAL |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS |
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| 2N683A | NJSEMI |
获取价格 |
SCR, V(DRM) = 100V to 199.9V |
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| 2N683M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 16000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Eleme |
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| 2N683MPBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
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| 2N683PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
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| 2N684 | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS |
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