5秒后页面跳转
2N6836E3 PDF预览

2N6836E3

更新时间: 2024-01-24 04:46:14
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 75K
描述
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 450V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL CAN-2

2N6836E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:METAL CAN-2
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.77最大集电极电流 (IC):15 A
集电极-发射极最大电压:450 V最小直流电流增益 (hFE):7.5
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N6836E3 数据手册

  

与2N6836E3相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N6837 ISC isc Silicon NPN Power Transistor

获取价格

2N6837 NJSEMI Trans GP BJT NPN 450V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3

获取价格

2N6838 ETC TRANSISTOR | BJT | NPN | 30MA I(C) | SOT-173

获取价格

2N6839 ETC TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | SOT-173

获取价格

2N683A CENTRAL SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS

获取价格

2N683A NJSEMI SCR, V(DRM) = 100V to 199.9V

获取价格