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2N6836

更新时间: 2024-02-06 13:37:28
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
64页 477K
描述
15A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA, METAL, TO-3, 2 PIN

2N6836 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.46
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):15 A
基于收集器的最大容量:400 pF集电极-发射极最大电压:450 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):5
JEDEC-95代码:TO-204AAJESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:175 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):10 MHz最大关闭时间(toff):3250 ns
最大开启时间(吨):600 nsVCEsat-Max:2.5 V
Base Number Matches:1

2N6836 数据手册

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Table 2. Inductive Load Switching  
+ V 11 V  
0.02 µF  
100  
H.P. 214  
OR EQUIV.  
P.G.  
20  
2N6191  
+
0 V  
R
B1  
10 µF  
A
35 V  
0.02 µF  
1.0 µF  
R
B2  
+
2N5337  
– V  
50  
500  
100  
I
C(pk)  
I
C
T
1
+ V  
V
CE(pk)  
*I  
C
0 V  
L
– V  
V
CE  
A
T.U.T.  
V
= V  
CE(pk) CE(clamp)  
MR856  
V
L
(I  
)
coil Cpk  
V
T
T
1
*I  
B
CC  
V
CC  
I
B1  
50  
clamp  
adjusted to obtain I  
1
C(pk)  
I
B
V
Inductive Switching  
L = 200 µH  
RBSOA  
L = 200 µH  
(BR)CEO  
I
L = 10 mH  
B2  
R
=
R
= 0  
= 20 Volts  
selected for desired I  
R
= 0  
= 20 Volts  
selected for desired I  
B1 B1  
B2  
B2  
B2  
V
CC  
= 20 Volts  
V
V
CC  
CC  
R
R
B1  
B1  
*Tektronix  
*P–6042 or  
*Equivalent  
Scope — Tektronix  
7403 or  
Equivalent  
Note: Adjust V to obtain desired V  
at Point A.  
BE(off)  
TYPICAL INDUCTIVE SWITCHING WAVEFORMS  
t
t , t  
fi  
sv  
c
I
I
V
V
= 10 Amps  
I
I
V
V
= 10 Amps  
C(pk)  
= 1.0 Amp  
C(pk)  
= 1.0 Amp  
t
= 20 ns  
fi  
B1  
B1  
I
C(pk)  
= 5.0 Volts  
= 400 Volts  
V
CE(pk)  
= 5.0 Volts  
= 400 Volts  
BE(off)  
CE(pk)  
BE(off)  
CE(pk)  
V
CE(pk)  
T
= 25°C  
T = 25°C  
C
C
Time Base =  
100 ns/cm  
Time Base =  
20 ns/cm  
I
B1  
0
V
CE(sat)  
t
I
c
B2  
V
CE(sat)  
t
= 370 ns  
sv  
24 ns  
3–157  
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