2N6764TXV

更新时间： 2024-02-18 07:19:17

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
5页	240K
描述
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6764TXV 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	其他特性：	RADIATION HARDENED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	38 A
最大漏源导通电阻：	0.055 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-204AE	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	70 A
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N6764TXV 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

PACKAGE DIMENSIONS

Dimensions

Millimeters

Ltr

Inches

Notes

Min

.535

.249

.035

.510

Max

.545

.260

.045

.570

Min

13.59

6.32

Max

13.84

6.60

0.89

1.14

12.95

14.48

.150 BSC

3.81 BSC

3, 4

MHD

MHO

.139

.149

.685

.800

.050

.545

3.53

3.78

17.40

20.32

1.27

.665

.790

.040

.535

16.89

20.07

1.02

13.59

13.84

Term 1

Term 2

Term 3

Drain

Source

Gate

NOTES:

1. Dimensions are in inches.

2. Millimeters are given for general information only.

3. Protrusion thickness of ceramic eyelets included in dimension LL.

4. All terminals are isolated from case.

5. In accordance with ASME Y14.5M, diameters are equivalent to φx symbology.

FIGURE 2. Physical dimensions for 2N6764T1, 2N6766T1, 2N6768T1, and 2N6770T1 (TO-254AA).

T4-LDS-0044 Rev. 2 (101484)

Page 5 of 5

1 2 3 45

下载PDF

与2N6764TXV相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6765	FAIRCHILD	N-Channel Power MOSFETs, 30A, 150V/200V	获取价格
2N6765	IXYS	High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series	获取价格
2N6765	NJSEMI	FET DEVICES WITH N_CHANNEL POLARITY	获取价格
2N6766	IXYS	High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series	获取价格
2N6766	FAIRCHILD	N-Channel Power MOSFETs, 30A, 150V/200V	获取价格
2N6766	MICROSEMI	N-CHANNEL MOSFET	获取价格