5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 基于收集器的最大容量： | 150 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 130 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 50 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 1500 ns | 最大开启时间（吨）： | 350 ns |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6704-DR6259 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 130V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6704-DR6260 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 130V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6704-DR6274 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 130V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6705 | CDIL |
获取价格 |
General Purpose Medium Power Amplifier |
|
| 2N6706 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237VAR |
|
| 2N6707 | CDIL |
获取价格 |
General Purpose Medium Power Amplifier |
|
| 2N6707 | TI |
获取价格 |
1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237, TO-237, 3 PIN |
|
| 2N6707/D10Z | TI |
获取价格 |
1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237, TO-237, 3 PIN |
|
| 2N6707/D26Z | TI |
获取价格 |
1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237, TO-237, 3 PIN |
|
| 2N6707/D27Z | TI |
获取价格 |
1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237, TO-237, 3 PIN |
|
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
