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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.8 |
| 其他特性： | HIGH CURRENT DRIVER | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-237AA |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6707/D81Z | TI |
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1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237, TO-237, 3 PIN |
|
| 2N6707/D89Z | TI |
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1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237, TO-237, 3 PIN |
|
| 2N6708 | CDIL |
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PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
|
| 2N6709 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237VAR |
|
| 2N6710 | CDIL |
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PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
|
| 2N6711 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-237VAR |
|
| 2N6712 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-237VAR |
|
| 2N6713 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-237VAR |
|
| 2N6714 | BOCA |
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NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
|
| 2N6714 | CENTRAL |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR |
|
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