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2N6702-DR6280

更新时间: 2024-09-13 19:26:15
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
6页 229K
描述
7A, 90V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

2N6702-DR6280 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):7 A基于收集器的最大容量:150 pF
集电极-发射极最大电压:90 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:50 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
最大关闭时间(toff):1500 ns最大开启时间(吨):350 ns
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

2N6702-DR6280 数据手册

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