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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-61 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.31 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 500 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 7 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 71.4 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 71 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6586E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
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| 2N6587 | NJSEMI |
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SI NPN POWER BJT |
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| 2N6588 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
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| 2N6589 | VISHAY |
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Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N6589E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
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| 2N659 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 |
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| 2N6590 | VISHAY |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N6590 | NJSEMI |
获取价格 |
SI NPN POWER BJT |
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| 2N6590E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
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| 2N6591 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-202AC |
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