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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.59 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 12 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 2.5 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6594E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N6594LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N6595 | NXP |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72, BIP RF Small Signal |
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| 2N6596 | NXP |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72, BIP RF Small Signal |
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| 2N6597 | NXP |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72, BIP RF Small Signal |
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| 2N6598 | NXP |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72, BIP RF Small Signal |
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| 2N6599 | NXP |
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UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72 |
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| 2N65-C | UTC |
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N-CH |
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| 2N65-CA | UTC |
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N-CH |
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| 2N65G | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:650V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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