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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.57 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 28 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N65G-TN3-T | UTC |
获取价格 |
2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N65K | UTC |
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2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N65K_15 | UTC |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N65KG-TA3-T | UTC |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N65KG-TF1-T | UTC |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N65KG-TF2-T | UTC |
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| 2N65KG-TF3-T | UTC |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N65KG-TM3-T | UTC |
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| 2N65KG-TMS2-T | UTC |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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