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2N6594

更新时间: 2024-11-22 22:49:27
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页数 文件大小 规格书
3页 164K
描述
PNP SILICON POWER TRANSISTOR

2N6594 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.66Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):12 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):15JESD-609代码:e0
最高工作温度:175 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):100 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):2.5 MHzBase Number Matches:1

2N6594 数据手册

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Boca Semiconductor Corp  
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):650V;持续漏极电流(Id)(在25°C