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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-61 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.31 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 7 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 71.4 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 71 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6589E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
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| 2N659 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 |
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| 2N6590 | VISHAY |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
|
| 2N6590 | NJSEMI |
获取价格 |
SI NPN POWER BJT |
|
| 2N6590E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
|
| 2N6591 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-202AC |
|
| 2N6591N | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-202VAR |
|
| 2N6592 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-202AC |
|
| 2N6592N | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-202VAR |
|
| 2N6593 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-202VAR |
|
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