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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.25 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 250 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JEDEC-95代码： | TO-213AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 7000 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6421E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 250V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N6421LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
|
| 2N6421PBFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
|
| 2N6421TIN/LEAD | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| 2N6422 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(35W) |
|
| 2N6422 | BOCA |
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COMPLEMENTARY MEDIUM-POWER HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTORS |
|
| 2N6422 | CENTRAL |
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Power Transistors |
|
| 2N6422 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
|
| 2N6422LEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
|
| 2N6422PBFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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