5秒后页面跳转
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.57 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6423-2 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 300V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
|
| 2N6423E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 300V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N6423LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
|
| 2N6423PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| 2N6424 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Transistors |
|
| 2N6424 | NJSEMI |
获取价格 |
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
|
| 2N6424 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 225V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N6424E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 225V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N6424LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 225V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
|
| 2N6424PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
