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2N6423

更新时间: 2024-11-17 22:35:51
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CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 53K
描述
Power Transistors

2N6423 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-66
包装说明:TO-66, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.27
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-66JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):35 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):15 MHz
Base Number Matches:1

2N6423 数据手册

  
Power Transistors  
TO-66 Case  
TYPE NO.  
I
P
BV  
BV  
h
@ I  
V
@ I  
f
T
C
D
CBO  
CEO  
FE  
MIN MAX  
C
CE(SAT)  
(V)  
C
(A)  
(W)  
(V)  
(V)  
(A)  
(A)  
(MHz)  
MIN  
NPN  
PNP  
MAX  
MIN  
MIN  
MAX  
2N3054  
2N3054A  
2N3583  
2N3584  
2N3585  
2N3738  
2N3739  
4.0  
4.0  
2.0  
2.0  
2.0  
1.0  
1.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
3.0  
5.0  
3.0  
5.0  
3.0  
5.0  
2.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
7.0  
7.0  
7.0  
7.0  
1.0  
1.0  
1.0  
4.0  
4.0  
3.0  
4.0  
4.0  
8.0  
8.0  
7.0  
7.0  
6.0  
6.0  
6.0  
1.0  
1.0  
4.0  
4.0  
4.0  
3.0  
25  
75  
35  
35  
35  
20  
20  
25  
25  
25  
25  
20  
20  
35  
75  
35  
75  
35  
75  
35  
20  
20  
20  
25  
25  
25  
40  
40  
40  
40  
35  
35  
35  
29  
50  
20  
50  
50  
75  
75  
90  
90  
40  
40  
40  
20  
20  
40  
40  
29  
25  
90  
90  
55  
55  
25  
25  
40  
40  
40  
40  
40  
30  
30  
30  
30  
40  
40  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
40  
50  
25  
50  
20  
20  
20  
30  
60  
30  
60  
10  
10  
10  
20  
25  
20  
150  
150  
- -  
0.5  
0.5  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.5  
0.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
0.1  
0.05  
0.05  
0.05  
0.5  
0.5  
0.5  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.5  
1.5  
0.5  
1.0  
0.5  
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0.75  
0.75  
2.5  
2.5  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
1.0  
1.0  
2.0  
4.0  
2.0  
4.0  
2.0  
4.0  
1.0  
0.9  
0.9  
0.75  
0.6  
0.6  
0.6  
0.7  
0.7  
0.7  
0.7  
1.4  
1.6  
2.0  
1.5  
0.5  
1.2  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
2.5  
2.5  
1.2  
1.2  
1.0  
1.0  
0.5  
0.5  
0.8  
0.8  
10  
2N6049  
2N6420  
2N6421  
2N6422  
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250  
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175  
250  
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225  
300  
60  
1.0  
- -  
1.0  
1.0  
10  
- -  
10  
200  
200  
150  
150  
150  
150  
160  
160  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
- -  
0.25  
0.25  
1.0  
10  
10  
2N3740  
2N3740A  
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2N3741A  
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3.0  
3.0  
3.0  
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60  
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2N4233A  
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2N4296  
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0.5  
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4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
15  
2N6312  
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40  
5.0  
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3.0  
60  
60  
5.0  
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3.0  
2N6314  
2N6423  
80  
80  
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500  
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500  
500  
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350  
40  
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0.05  
0.05  
0.05  
1.0  
150  
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20  
150  
150  
150  
150  
120  
240  
120  
240  
100  
100  
100  
100  
100  
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2N4898  
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2N4900  
3.0  
3.0  
3.0  
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80  
1.0  
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80  
2.0  
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100  
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50  
100  
100  
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2.0  
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0.8  
0.8  
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4.0  
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4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
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750 18,000 4.0  
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60  
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20  
20  
20  
20  
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40  
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15  
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100  
100  
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2N6465  
2N6466  
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0.5  
CM3441  
160  
120  
0.5  
Shaded areas indicate Darlington.  
86  
www.centralsemi.com  

与2N6423相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6423-2 NJSEMI

获取价格

Trans GP BJT PNP 300V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66
2N6423E3 MICROSEMI

获取价格

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 300V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,
2N6423LEADFREE CENTRAL

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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2
2N6423PBFREE CENTRAL

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Power Bipolar Transistor,
2N6424 CENTRAL

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Power Transistors
2N6424 NJSEMI

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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081
2N6424 MICROSEMI

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2N6424E3 MICROSEMI

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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 225V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,
2N6424LEADFREE CENTRAL

获取价格

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 225V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2
2N6424PBFREE CENTRAL

获取价格

暂无描述