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2N6423E3

更新时间: 2024-11-21 20:09:47
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美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
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1页 84K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 300V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,

2N6423E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.72
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:300 V最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-66JESD-30 代码:O-MBFM-P2
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

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