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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-66 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6423LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
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| 2N6423PBFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| 2N6424 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Transistors |
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| 2N6424 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
|
| 2N6424 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 225V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N6424E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 225V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N6424LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 225V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
|
| 2N6424PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2N6424TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| 2N6425 | NJSEMI |
获取价格 |
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
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