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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-33 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.48 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JEDEC-95代码： | TO-33 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 1200 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 500 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N6351 | MICROSEMI |
类似代替  |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTX2N6351 | MICROSEMI |
类似代替 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N6351 | MICROSEMI |
类似代替 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6351E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
|
| 2N6352 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N6352 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN POWER DARLINGTON |
|
| 2N6352E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
|
| 2N6353 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N6353 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN POWER DARLINGTON |
|
| 2N6353E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
|
| 2N6354 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| 2N6354 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6354 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
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