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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-66 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.05 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 | JEDEC-95代码： | TO-66 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N6299 | MICROSEMI |
类似代替  |
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N6299 | CENTRAL |
类似代替 |
Power Transistors |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6298LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2N6299 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N6299 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N6299 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N6299 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 |
|
| 2N6299 | NJSEMI |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| 2N6299 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N6299 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(8A, 75W) |
|
| 2N6299 | BOCA |
获取价格 |
DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| 2N6299 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Transistors |
|
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